FDMS7682 , N沟道 MOSFET 晶体管, 59 A, Vds=30 V, 8针 Power 56封装
- RS 库存编号:
- 864-4784
- 制造商零件编号:
- FDMS7682
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB11,616.00
(不含税)
RMB13,125.00
(含税)
有库存
- 另外 3,000 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB3.872 | RMB11,616.00 |
| 15000 - 27000 | RMB3.796 | RMB11,388.00 |
| 30000 + | RMB3.721 | RMB11,163.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-4784
- 制造商零件编号:
- FDMS7682
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 59 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 8.5 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.25V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | Power 56 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 33 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1416 pF @ 15 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 5 x 6 x 1.05mm | |
| 典型接通延迟时间 | 9.4 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6mm | |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns | |
| 长度 | 5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 59 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 8.5 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.25V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 Power 56 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 33 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1416 pF @ 15 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 PowerTrench | ||
高度 1.05mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 5 x 6 x 1.05mm | ||
典型接通延迟时间 9.4 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6mm | ||
典型关断延迟时间 22 ns | ||
长度 5mm | ||