FDMC8462 , N沟道 MOSFET 晶体管, 64 A, Vds=40 V, 8针 Power 33封装

品牌

Fairchild Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

64 A

最大漏源电压

40 V

最大漏源电阻值

9.3 mΩ

最小栅阈值电压

1V

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

Power 33

安装类型

表面贴装

引脚数目

8

通道模式

增强

类别

Power Trench MOSFET

最大功率耗散

41 W

每片芯片元件数目

1

典型输入电容值@Vds

2000 pF @ 20 V

最高工作温度

+150 °C

典型关断延迟时间

27 ns

高度

1.05mm

宽度

3.3mm

典型栅极电荷@Vgs

30 nC @ 10 V

最低工作温度

-55 °C

长度

3.3mm

尺寸

3.3 x 3.3 x 1.05mm

典型接通延迟时间

12 ns