FCMT199N60 , N沟道 MOSFET 晶体管, 20.2 A, Vds=600 V, 4针 电源 88封装
- RS 库存编号:
- 864-7880
- 制造商零件编号:
- FCMT199N60
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB50.48
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RMB57.04
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB25.24 | RMB50.48 |
| 20 - 198 | RMB19.645 | RMB39.29 |
| 200 - 998 | RMB16.065 | RMB32.13 |
| 1000 - 2998 | RMB14.735 | RMB29.47 |
| 3000 + | RMB13.165 | RMB26.33 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-7880
- 制造商零件编号:
- FCMT199N60
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 199 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | 电源 88 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 208 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 57 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2043 pF @ 380 V | |
| 长度 | 8mm | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 宽度 | 8mm | |
| 典型关断延迟时间 | 64 ns | |
| 系列 | SuperFET II | |
| 尺寸 | 8 x 8 x 1.05mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 199 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 电源 88 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 208 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 57 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2043 pF @ 380 V | ||
长度 8mm | ||
高度 1.05mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 20 ns | ||
宽度 8mm | ||
典型关断延迟时间 64 ns | ||
系列 SuperFET II | ||
尺寸 8 x 8 x 1.05mm | ||