FCPF190N60 , N沟道 MOSFET 晶体管, 20.2 A, Vds=600 V, 3针 TO-220F封装
- RS 库存编号:
- 864-7913
- 制造商零件编号:
- FCPF190N60
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 包，共 2 件）*
RMB47.16
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RMB53.30
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB23.58 | RMB47.16 |
| 20 - 198 | RMB21.18 | RMB42.36 |
| 200 - 498 | RMB19.26 | RMB38.52 |
| 500 - 998 | RMB17.52 | RMB35.04 |
| 1000 + | RMB15.80 | RMB31.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-7913
- 制造商零件编号:
- FCPF190N60
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20 | |
| 最大漏源电压 Vd | 600 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | SuperFET II | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | 1.2 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 57 | |
| 最大功耗 Pd | 39 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 10.36 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.9 | |
| 高度 | 16.07 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 20 | ||
最大漏源电压 Vd 600 | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 SuperFET II | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf 1.2 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 57 | ||
最大功耗 Pd 39 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 10.36 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.9 | ||
高度 16.07 | ||
汽车标准 否 | ||