FDB3652_F085 , N沟道 MOSFET 晶体管, 61 A, Vds=100 V, 2+1 (Tab)针 TO-263AB封装
- RS 库存编号:
- 864-7981P
- 制造商零件编号:
- FDB3652_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
RMB546.00
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RMB617.00
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 195 | RMB10.92 |
| 200 - 395 | RMB10.08 |
| 400 - 795 | RMB9.36 |
| 800 + | RMB8.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-7981P
- 制造商零件编号:
- FDB3652_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 61 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.043 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 2880 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 41 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 26 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 61 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 0.043 Ω | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 150 W | ||
高度 4.83mm | ||
典型输入电容值@Vds 2880 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 26 ns | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
系列 PowerTrench | ||
宽度 9.65mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- US