FDBL86210_F085 , N沟道 MOSFET 晶体管, 169 A, Vds=150 V, 8针 PSOF封装
- RS 库存编号:
- 864-8007
- 制造商零件编号:
- FDBL86210_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB38.40
(不含税)
RMB43.39
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB38.40 |
| 10 - 99 | RMB32.04 |
| 100 - 499 | RMB29.52 |
| 500 - 1999 | RMB27.48 |
| 2000 + | RMB22.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8007
- 制造商零件编号:
- FDBL86210_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 169 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 17.5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PSOF | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 500 W | |
| 长度 | 10.48mm | |
| 尺寸 | 10.48 x 9.9 x 2.4mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 39 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.9mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 5805 pF @ 75 V | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 70 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 169 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 17.5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PSOF | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 500 W | ||
长度 10.48mm | ||
尺寸 10.48 x 9.9 x 2.4mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 39 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.9mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 5805 pF @ 75 V | ||
高度 2.4mm | ||
系列 PowerTrench | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 70 ns | ||