FDC642P_F085 , P沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=-20 V, 6针 SuperSOT封装
- RS 库存编号:
- 864-8017
- 制造商零件编号:
- FDC642P_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB45.55
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RMB51.475
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB1.822 | RMB45.55 |
| 125 - 225 | RMB1.518 | RMB37.95 |
| 250 - 1475 | RMB1.399 | RMB34.98 |
| 1500 - 2975 | RMB1.302 | RMB32.55 |
| 3000 + | RMB1.214 | RMB30.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8017
- 制造商零件编号:
- FDC642P_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 105 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.2 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 630 pF @ -10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.9 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm | |
| 典型关断延迟时间 | 23.2 ns | |
| 长度 | 3mm | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 7.3 ns | |
| 高度 | 1mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 105 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.2 W | ||
典型输入电容值@Vds 630 pF @ -10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.9 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3 x 1.7 x 1mm | ||
典型关断延迟时间 23.2 ns | ||
长度 3mm | ||
宽度 1.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 7.3 ns | ||
高度 1mm | ||
系列 PowerTrench | ||
最高工作温度 +150 °C | ||