FDD6637_F085 , P沟道 MOSFET 晶体管, 21 A, Vds=-35 V, 2+1 (Tab)针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 864-8095P
- 制造商零件编号:
- FDD6637_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
RMB206.25
(不含税)
RMB233.05
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 490 | RMB4.125 |
| 500 - 990 | RMB3.806 |
| 1000 - 2490 | RMB3.45 |
| 2500 + | RMB3.06 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8095P
- 制造商零件编号:
- FDD6637_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 21 A | |
| 最大漏源电压 | 35 V | |
| 最大漏源电阻值 | 18 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 68 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 62 ns | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2370 pF @ -20 V | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 21 A | ||
最大漏源电压 35 V | ||
最大漏源电阻值 18 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 68 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 62 ns | ||
宽度 6.22mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2370 pF @ -20 V | ||
高度 2.39mm | ||
系列 PowerTrench | ||
长度 6.73mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 18 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- US