FDD5N50TM_WS , N沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=500 V, 2+1 (Tab)针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 864-8098P
- 制造商零件编号:
- FDD5N50TM_WS
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
RMB291.00
(不含税)
RMB329.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 490 | RMB5.82 |
| 500 - 990 | RMB5.052 |
| 1000 - 2490 | RMB4.61 |
| 2500 + | RMB4.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8098P
- 制造商零件编号:
- FDD5N50TM_WS
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.4 Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 40 W | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 系列 | UniFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 480 pF @ 25 V | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 28 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
最大漏源电阻值 1.4 Ω | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 40 W | ||
宽度 6.22mm | ||
系列 UniFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.39mm | ||
典型输入电容值@Vds 480 pF @ 25 V | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 28 ns | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V | ||
- COO (Country of Origin):
- KR