FDD8424H_F085A, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, Vds=40 V，-40 V, 5针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 864-8102P
- 制造商零件编号:
- FDD8424H_F085A
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 490 | RMB3.487 |
| 500 - 990 | RMB3.212 |
| 1000 - 2490 | RMB2.981 |
| 2500 + | RMB2.66 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8102P
- 制造商零件编号:
- FDD8424H_F085A
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 37 mΩ，80 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 30 W, 35 W | |
| 典型关断延迟时间 | 31 ns, 36 ns | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V，17 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1000 pF@ -20 V, 750 pF@ 20 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 37 mΩ，80 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 5 | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 30 W, 35 W | ||
典型关断延迟时间 31 ns, 36 ns | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 2.39mm | ||
系列 PowerTrench | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V，17 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1000 pF@ -20 V, 750 pF@ 20 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 7 ns | ||
长度 6.73mm | ||
- COO (Country of Origin):
- US