FDG6332C_F085, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 0.6 A, 0.7 A, Vds=20 V，-20 V, 6针 SC-70-6封装
- RS 库存编号:
- 864-8155P
- 制造商零件编号:
- FDG6332C_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 225 | RMB1.421 |
| 250 - 1475 | RMB1.368 |
| 1500 - 2975 | RMB1.17 |
| 3000 + | RMB1.087 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8155P
- 制造商零件编号:
- FDG6332C_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 600 mA，700 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.7 Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 0.3V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-70) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 长度 | 2mm | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns, 5.5 ns | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.1 nC @ 4.5 V，1.4 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 113 pF@ 10 V, 114 pF@ -10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 6 ns, 9 ns | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 600 mA，700 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 0.7 Ω | ||
最小栅阈值电压 0.3V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-70) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 PowerTrench | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
长度 2mm | ||
尺寸 2 x 1.25 x 1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 5 ns, 5.5 ns | ||
宽度 1.25mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.1 nC @ 4.5 V，1.4 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 113 pF@ 10 V, 114 pF@ -10 V | ||
典型关断延迟时间 6 ns, 9 ns | ||
高度 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- US