FDI030N06 , N沟道 MOSFET 晶体管, 193 A, Vds=60 V, 3针 I2PAK封装
- RS 库存编号:
- 864-8164
- 制造商零件编号:
- FDI030N06
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB60.03
(不含税)
RMB67.834
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB30.015 | RMB60.03 |
| 20 - 198 | RMB23.36 | RMB46.72 |
| 200 - 498 | RMB19.135 | RMB38.27 |
| 500 - 998 | RMB17.53 | RMB35.06 |
| 1000 + | RMB15.615 | RMB31.23 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8164
- 制造商零件编号:
- FDI030N06
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 193 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.2 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 231 W | |
| 典型关断延迟时间 | 54 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 7380 pF @ 25 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 尺寸 | 10.29 x 9.65 x 4.83mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 116 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 10.29mm | |
| 典型接通延迟时间 | 39 ns | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 193 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 3.2 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 231 W | ||
典型关断延迟时间 54 ns | ||
典型输入电容值@Vds 7380 pF @ 25 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.65mm | ||
尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 116 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 10.29mm | ||
典型接通延迟时间 39 ns | ||
系列 PowerTrench | ||
高度 4.83mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||