FDMB2308PZ, 双 P沟道 MOSFET 晶体管, 7 A, 6针 MLP封装
- RS 库存编号:
- 864-8186
- 制造商零件编号:
- FDMB2308PZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB39.84
(不含税)
RMB45.02
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB7.968 | RMB39.84 |
| 25 - 245 | RMB6.648 | RMB33.24 |
| 250 - 995 | RMB6.12 | RMB30.60 |
| 1000 - 2995 | RMB5.05 | RMB25.25 |
| 3000 + | RMB4.54 | RMB22.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8186
- 制造商零件编号:
- FDMB2308PZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 7 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 50 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | MLP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 2.2 W, 800 mW | |
| 宽度 | 2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 长度 | 3mm | |
| 尺寸 | 3 x 2 x 0.725mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2280 pF@ -10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 74 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.725mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 7 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 50 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 MLP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 2.2 W, 800 mW | ||
宽度 2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
长度 3mm | ||
尺寸 3 x 2 x 0.725mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 14 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 2280 pF@ -10 V | ||
典型关断延迟时间 74 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.725mm | ||
系列 PowerTrench | ||