FDMC86139P , P沟道 MOSFET 晶体管, 4.4 A, Vds=-100 V, 8针 Power 33封装
- RS 库存编号:
- 864-8215
- 制造商零件编号:
- FDMC86139P
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB37.44
(不含税)
RMB42.305
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB7.488 | RMB37.44 |
| 25 - 245 | RMB6.24 | RMB31.20 |
| 250 - 995 | RMB5.76 | RMB28.80 |
| 1000 - 2995 | RMB4.92 | RMB24.60 |
| 3000 + | RMB4.36 | RMB21.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8215
- 制造商零件编号:
- FDMC86139P
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.4 | |
| 最大漏源电压 Vd | 100 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 包装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 40 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 | |
| 正向电压 Vf | -1.3 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 宽度 | 3.3 | |
| 高度 | 0.725 | |
| 长度 | 3.3 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P | ||
最大连续漏极电流 Id 4.4 | ||
最大漏源电压 Vd 100 | ||
系列 PowerTrench | ||
包装类型 WDFN | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 40 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16 | ||
最大栅源电压 Vgs 25 | ||
正向电压 Vf -1.3 | ||
最高工作温度 150 | ||
宽度 3.3 | ||
高度 0.725 | ||
长度 3.3 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||