FDMC86259P , P沟道 MOSFET 晶体管, 3.2 A, Vds=-150 V, 8针 Power 33封装
- RS 库存编号:
- 864-8228P
- 制造商零件编号:
- FDMC86259P
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB240.525
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 245 | RMB8.514 |
| 250 - 995 | RMB7.854 |
| 1000 - 2995 | RMB7.06 |
| 3000 + | RMB6.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8228P
- 制造商零件编号:
- FDMC86259P
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.2 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 178 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | Power 33 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 62 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3.4 x 3.4 x 0.75mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1535 pF @ -75 V | |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.2 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 178 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 Power 33 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 62 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 PowerTrench | ||
高度 0.75mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.4mm | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3.4 x 3.4 x 0.75mm | ||
长度 3.4mm | ||
典型输入电容值@Vds 1535 pF @ -75 V | ||
典型关断延迟时间 22 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- US