FDMD82100, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 25 A, Vds=100 V, 12针 电源 3.3 x 5封装
- RS 库存编号:
- 864-8243P
- 制造商零件编号:
- FDMD82100
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB389.975
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 245 | RMB13.804 |
| 250 - 995 | RMB11.296 |
| 1000 - 2995 | RMB10.358 |
| 3000 + | RMB8.87 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8243P
- 制造商零件编号:
- FDMD82100
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 25 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 35 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 典型接通延迟时间 | 9.4 ns | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 15 ns | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 805 pF @ 50 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 尺寸 | 5.1 x 3.4 x 0.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 25 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 35 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PQFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 12 | ||
晶体管配置 串行 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.1 W | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5.1mm | ||
典型接通延迟时间 9.4 ns | ||
系列 PowerTrench | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 15 ns | ||
宽度 3.4mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 805 pF @ 50 V | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 0.75mm | ||
尺寸 5.1 x 3.4 x 0.75mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY