FDME430NT , N沟道 MOSFET 晶体管, 6 A, Vds=30 V, 6针 MicroFET封装
- RS 库存编号:
- 864-8256
- 制造商零件编号:
- FDME430NT
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB77.525
(不含税)
RMB87.60
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB3.101 | RMB77.53 |
| 125 - 225 | RMB2.582 | RMB64.55 |
| 250 - 2475 | RMB2.386 | RMB59.65 |
| 2500 - 4975 | RMB1.98 | RMB49.50 |
| 5000 + | RMB1.84 | RMB46.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8256
- 制造商零件编号:
- FDME430NT
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 71 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | MLP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 高度 | 0.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns | |
| 长度 | 1.6mm | |
| 尺寸 | 1.6 x 1.6 x 0.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 572 pF @ 15 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 71 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 MLP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.1 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.6mm | ||
高度 0.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 PowerTrench | ||
典型关断延迟时间 19 ns | ||
长度 1.6mm | ||
尺寸 1.6 x 1.6 x 0.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 7 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 572 pF @ 15 V | ||