FDME820NZT , N沟道 MOSFET 晶体管, 9 A, Vds=20 V, 6针 MicroFET封装
- RS 库存编号:
- 864-8259
- 制造商零件编号:
- FDME820NZT
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 包，共 10 件）*
RMB34.08
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB3.408 | RMB34.08 |
| 100 - 990 | RMB2.844 | RMB28.44 |
| 1000 - 2490 | RMB2.448 | RMB24.48 |
| 2500 - 4990 | RMB2.40 | RMB24.00 |
| 5000 + | RMB2.02 | RMB20.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8259
- 制造商零件编号:
- FDME820NZT
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 32 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | MLP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.6mm | |
| 尺寸 | 1.6 x 1.6 x 0.5mm | |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 865 pF @ 10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.5 nC @ 4.5 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 32 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.5V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 MLP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.1 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.6mm | ||
尺寸 1.6 x 1.6 x 0.5mm | ||
典型关断延迟时间 19 ns | ||
宽度 1.6mm | ||
典型接通延迟时间 9 ns | ||
典型输入电容值@Vds 865 pF @ 10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 8.5 nC @ 4.5 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- US