FDMS030N06B , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=60 V, 8针 Power 56封装
- RS 库存编号:
- 864-8341
- 制造商零件编号:
- FDMS030N06B
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB81.84
(不含税)
RMB92.48
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB16.368 | RMB81.84 |
| 25 - 245 | RMB13.632 | RMB68.16 |
| 250 - 995 | RMB12.60 | RMB63.00 |
| 1000 - 2995 | RMB9.94 | RMB49.70 |
| 3000 + | RMB9.094 | RMB45.47 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8341
- 制造商零件编号:
- FDMS030N06B
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | Power 56 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 104 W | |
| 宽度 | 6.25mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 尺寸 | 5.1 x 6.25 x 1.05mm | |
| 典型接通延迟时间 | 39 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 75 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 5685 pF @ 30 V | |
| 典型关断延迟时间 | 52 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 100 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 3 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 Power 56 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 104 W | ||
宽度 6.25mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.05mm | ||
系列 PowerTrench | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5.1mm | ||
尺寸 5.1 x 6.25 x 1.05mm | ||
典型接通延迟时间 39 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 5685 pF @ 30 V | ||
典型关断延迟时间 52 ns | ||