FDMS36101L_F085 , N沟道 MOSFET 晶体管, 38 A, Vds=100 V, 8针 Power 56封装
- RS 库存编号:
- 864-8350P
- 制造商零件编号:
- FDMS36101L_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
RMB295.20
(不含税)
RMB333.60
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 490 | RMB5.904 |
| 500 - 990 | RMB5.052 |
| 1000 - 2990 | RMB4.19 |
| 3000 + | RMB3.934 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8350P
- 制造商零件编号:
- FDMS36101L_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 38 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 66 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | Power 56 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 94 W | |
| 典型关断延迟时间 | 45 ns | |
| 宽度 | 5.9mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 3945 pF @ 25 V | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 尺寸 | 5 x 5.9 x 1.1mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 38 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 66 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 Power 56 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 94 W | ||
典型关断延迟时间 45 ns | ||
宽度 5.9mm | ||
典型输入电容值@Vds 3945 pF @ 25 V | ||
高度 1.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
尺寸 5 x 5.9 x 1.1mm | ||
长度 5mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V | ||
- COO (Country of Origin):
- US