FDMS86200DC , N沟道 MOSFET 晶体管, 40 A, Vds=150 V, 8针 Power 56封装
- RS 库存编号:
- 864-8449
- 制造商零件编号:
- FDMS86200DC
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB61.82
(不含税)
RMB69.855
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB12.364 | RMB61.82 |
| 25 - 245 | RMB11.15 | RMB55.75 |
| 250 - 995 | RMB10.932 | RMB54.66 |
| 1000 - 2995 | RMB10.718 | RMB53.59 |
| 3000 + | RMB10.508 | RMB52.54 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8449
- 制造商零件编号:
- FDMS86200DC
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40 | |
| 最大漏源电压 Vd | 150 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 包装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 125 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 正向电压 Vf | 1.3 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1 | |
| 长度 | 5.1 | |
| 宽度 | 5.85 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40 | ||
最大漏源电压 Vd 150 | ||
系列 PowerTrench | ||
包装类型 WDFN | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 125 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
正向电压 Vf 1.3 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
高度 1 | ||
长度 5.1 | ||
宽度 5.85 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- KR