FDMS9600S, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, Vds=30 V, 8针 Power 56封装
- RS 库存编号:
- 864-8509
- 制造商零件编号:
- FDMS9600S
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB71.52
(不含税)
RMB80.82
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB14.304 | RMB71.52 |
| 25 - 245 | RMB11.928 | RMB59.64 |
| 250 - 995 | RMB10.992 | RMB54.96 |
| 1000 - 2995 | RMB9.07 | RMB45.35 |
| 3000 + | RMB8.14 | RMB40.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8509
- 制造商零件编号:
- FDMS9600S
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 A，32 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 8.3 mΩ，13 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | Power 56 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns，17 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 4.5 V，9 nC @ 4.5 V | |
| 典型关断延迟时间 | 42 ns, 54 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 高度 | 0.825mm | |
| 宽度 | 6mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1280 pF@ 15 V, 2300 pF@ 15 V | |
| 尺寸 | 5 x 6 x 0.825mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 A，32 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 8.3 mΩ，13 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 Power 56 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 串行 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型接通延迟时间 13 ns，17 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V，9 nC @ 4.5 V | ||
典型关断延迟时间 42 ns, 54 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 PowerTrench | ||
高度 0.825mm | ||
宽度 6mm | ||
典型输入电容值@Vds 1280 pF@ 15 V, 2300 pF@ 15 V | ||
尺寸 5 x 6 x 0.825mm | ||
长度 5mm | ||
晶体管材料 Si | ||