FDN5632N_F085 , N沟道 MOSFET 晶体管, 1.7 A, Vds=60 V, 3针 SSOT-3封装
- RS 库存编号:
- 864-8518
- 制造商零件编号:
- FDN5632N_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB98.05
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RMB110.80
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB3.922 | RMB98.05 |
| 125 - 225 | RMB2.76 | RMB69.00 |
| 250 - 1475 | RMB2.496 | RMB62.40 |
| 1500 - 2975 | RMB2.00 | RMB50.00 |
| 3000 + | RMB1.86 | RMB46.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8518
- 制造商零件编号:
- FDN5632N_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.7 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 135 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.1 W | |
| 高度 | 0.94mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 5.2 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9.2 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 475 pF @ 15 V | |
| 尺寸 | 2.92 x 1.4 x 0.94mm | |
| 长度 | 2.92mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.7 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 135 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.1 W | ||
高度 0.94mm | ||
宽度 1.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 5.2 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 9.2 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 475 pF @ 15 V | ||
尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm | ||
长度 2.92mm | ||
系列 PowerTrench | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||