FDP023N08B_F102 , N沟道 MOSFET 晶体管, 242 A, Vds=75 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 864-8521
- 制造商零件编号:
- FDP023N08B_F102
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB25.44 | RMB50.88 |
| 20 - 198 | RMB21.18 | RMB42.36 |
| 200 - 498 | RMB19.56 | RMB39.12 |
| 500 - 998 | RMB18.18 | RMB36.36 |
| 1000 + | RMB15.60 | RMB31.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8521
- 制造商零件编号:
- FDP023N08B_F102
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 242 A | |
| 最大漏源电压 | 75 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.3 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 245 W | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 尺寸 | 10.1 x 4.7 x 15.38mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 41 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 10350 pF@ 37.5 V | |
| 典型关断延迟时间 | 111 ns | |
| 高度 | 15.38mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 242 A | ||
最大漏源电压 75 V | ||
最大漏源电阻值 2.3 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 245 W | ||
系列 PowerTrench | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.1mm | ||
尺寸 10.1 x 4.7 x 15.38mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 41 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 150 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 10350 pF@ 37.5 V | ||
典型关断延迟时间 111 ns | ||
高度 15.38mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.7mm | ||