FDPC8012S, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, Vds=25 V, 8针 电源夹 33封装
- RS 库存编号:
- 864-8568
- 制造商零件编号:
- FDPC8012S
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB100.20
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RMB113.25
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB20.04 | RMB100.20 |
| 25 - 245 | RMB16.50 | RMB82.50 |
| 250 - 995 | RMB13.50 | RMB67.50 |
| 1000 - 2995 | RMB10.30 | RMB51.50 |
| 3000 + | RMB9.72 | RMB48.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8568
- 制造商零件编号:
- FDPC8012S
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A，88 A | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.2 mΩ、10.5 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | 电源夹 33 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.6 W，2 W | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns, 34 ns | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 高度 | 0.725mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 尺寸 | 3.3 x 3.3 x 0.725mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns, 12 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 25 nC @ 4.5 V，8 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1075 pF@ 13 V, 3456 pF@ 13 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 35 A，88 A | ||
最大漏源电压 25 V | ||
最大漏源电阻值 3.2 mΩ、10.5 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.8V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 电源夹 33 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 串行 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.6 W，2 W | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型关断延迟时间 19 ns, 34 ns | ||
宽度 3.3mm | ||
高度 0.725mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.3mm | ||
尺寸 3.3 x 3.3 x 0.725mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 6 ns, 12 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 4.5 V，8 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 1075 pF@ 13 V, 3456 pF@ 13 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||