onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 4.5 A, TO-220F, 通孔安装, 3引脚, FDPF6N60ZUT, UniFET系列
- RS 库存编号:
- 864-8622
- 制造商零件编号:
- FDPF6N60ZUT
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB79.20
(不含税)
RMB89.50
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB7.92 | RMB79.20 |
| 50 - 90 | RMB7.788 | RMB77.88 |
| 100 - 490 | RMB6.33 | RMB63.30 |
| 500 - 990 | RMB5.77 | RMB57.70 |
| 1000 + | RMB4.41 | RMB44.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8622
- 制造商零件编号:
- FDPF6N60ZUT
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | UniFET | |
| 包装类型 | TO-220F | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 33.8W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 16.07mm | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4.5A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 UniFET | ||
包装类型 TO-220F | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大功耗 Pd 33.8W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14.5nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 16.07mm | ||
长度 10.36mm | ||
汽车标准 否 | ||
UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。