FDS4465_F085 , P沟道 MOSFET 晶体管, 13.5 A, Vds=-20 V, 8针 SO-8封装
- RS 库存编号:
- 864-8644
- 制造商零件编号:
- FDS4465_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB51.36
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RMB58.035
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB10.272 | RMB51.36 |
| 50 - 495 | RMB8.568 | RMB42.84 |
| 500 - 995 | RMB6.85 | RMB34.25 |
| 1000 - 2495 | RMB5.822 | RMB29.11 |
| 2500 + | RMB5.708 | RMB28.54 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8644
- 制造商零件编号:
- FDS4465_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 13.5 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 13 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 宽度 | 3.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.575mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 86 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 8237 pF @ -10 V | |
| 高度 | 1.575mm | |
| 典型关断延迟时间 | 300 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 13.5 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 13 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
宽度 3.9mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
系列 PowerTrench | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 4.9mm | ||
尺寸 4.9 x 3.9 x 1.575mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 20 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 8237 pF @ -10 V | ||
高度 1.575mm | ||
典型关断延迟时间 300 ns | ||