FDS4559_F085, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 8针 SO-8封装
- RS 库存编号:
- 864-8647P
- 制造商零件编号:
- FDS4559_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 495 | RMB5.786 |
| 500 - 995 | RMB5.346 |
| 1000 - 2495 | RMB4.972 |
| 2500 + | RMB4.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8647P
- 制造商零件编号:
- FDS4559_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 A，4.5 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 94 mΩ，190 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 650 pF@ 25 V, 759 pF@ -30 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12.5 nC @ 10 V，15 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns、11 ns | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.575mm | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 宽度 | 3.9mm | |
| 高度 | 1.575mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 3.5 A，4.5 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 94 mΩ，190 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
典型输入电容值@Vds 650 pF@ 25 V, 759 pF@ -30 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 12.5 nC @ 10 V，15 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型关断延迟时间 19 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型接通延迟时间 7 ns、11 ns | ||
系列 PowerTrench | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 4.9 x 3.9 x 1.575mm | ||
长度 4.9mm | ||
宽度 3.9mm | ||
高度 1.575mm | ||
- COO (Country of Origin):
- US