FDS6898AZ_F085, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 9.4 A, Vds=20 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 864-8701
- 制造商零件编号:
- FDS6898AZ_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB40.26
(不含税)
RMB45.495
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB8.052 | RMB40.26 |
| 50 - 495 | RMB6.71 | RMB33.55 |
| 500 - 995 | RMB5.786 | RMB28.93 |
| 1000 - 2495 | RMB5.05 | RMB25.25 |
| 2500 + | RMB4.88 | RMB24.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8701
- 制造商零件编号:
- FDS6898AZ_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9.4 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 21 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 高度 | 1.575mm | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型关断延迟时间 | 34 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1821 pF @ 10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 宽度 | 3.9mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.575mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9.4 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 21 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.5V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 PowerTrench | ||
高度 1.575mm | ||
长度 4.9mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型关断延迟时间 34 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1821 pF @ 10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
宽度 3.9mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 4.9 x 3.9 x 1.575mm | ||