FDS8958A_F085, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, Vds=30 V, -30 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 864-8714
- 制造商零件编号:
- FDS8958A_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB79.20
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB7.92 | RMB79.20 |
| 50 - 490 | RMB6.534 | RMB65.34 |
| 500 - 990 | RMB5.335 | RMB53.35 |
| 1000 - 2490 | RMB4.39 | RMB43.90 |
| 2500 + | RMB4.107 | RMB41.07 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8714
- 制造商零件编号:
- FDS8958A_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A，7 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 42 mΩ，78 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 典型关断延迟时间 | 14 ns, 23 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 528 pF@ -15 V, 575 pF@ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11.4 nC @ 10 V，9.6 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns，8 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 3.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.575mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 高度 | 1.575mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 5 A，7 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 42 mΩ，78 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
典型关断延迟时间 14 ns, 23 ns | ||
典型输入电容值@Vds 528 pF@ -15 V, 575 pF@ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 11.4 nC @ 10 V，9.6 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 7 ns，8 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 3.9mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
长度 4.9mm | ||
尺寸 4.9 x 3.9 x 1.575mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 PowerTrench | ||
高度 1.575mm | ||