FDT1600N10ALZ , N沟道 MOSFET 晶体管, 5.6 A, Vds=100 V, 4针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 864-8732
- 制造商零件编号:
- FDT1600N10ALZ
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB51.70
(不含税)
RMB58.425
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB2.068 | RMB51.70 |
| 125 - 225 | RMB1.725 | RMB43.13 |
| 250 - 1975 | RMB1.593 | RMB39.83 |
| 2000 - 3975 | RMB1.478 | RMB36.95 |
| 4000 + | RMB1.377 | RMB34.43 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8732
- 制造商零件编号:
- FDT1600N10ALZ
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.6 | |
| 最大漏源电压 Vd | 100 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 10.42 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.9 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | 1.3 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 6.7 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.7 | |
| 宽度 | 3.7 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.6 | ||
最大漏源电压 Vd 100 | ||
系列 PowerTrench | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 10.42 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.9 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf 1.3 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 6.7 | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.7 | ||
宽度 3.7 | ||
汽车标准 否 | ||