FDU6N25 , N沟道 MOSFET 晶体管, 4.4 A, Vds=250 V, 3针 IPAK封装
- RS 库存编号:
- 864-8736
- 制造商零件编号:
- FDU6N25
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB48.18
(不含税)
RMB54.44
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB2.409 | RMB48.18 |
| 100 - 180 | RMB2.008 | RMB40.16 |
| 200 - 1980 | RMB1.733 | RMB34.66 |
| 2000 - 5020 | RMB1.639 | RMB32.78 |
| 5040 + | RMB1.606 | RMB32.12 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8736
- 制造商零件编号:
- FDU6N25
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4.4 A | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.1 Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 7 ns | |
| 高度 | 7.57mm | |
| 系列 | UniFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 194 pF @ 25 V | |
| 长度 | 6.8mm | |
| 尺寸 | 6.8 x 2.5 x 7.57mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时，4.5 常闭 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4.4 A | ||
最大漏源电压 250 V | ||
最大漏源电阻值 1.1 Ω | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 IPAK (TO-251) | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 50 W | ||
宽度 2.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 7 ns | ||
高度 7.57mm | ||
系列 UniFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型输入电容值@Vds 194 pF @ 25 V | ||
长度 6.8mm | ||
尺寸 6.8 x 2.5 x 7.57mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，4.5 常闭 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||