FDZ1323NZ, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 10 A, Vds=20 V, 6针 WL-CSP封装
- RS 库存编号:
- 864-8745P
- 制造商零件编号:
- FDZ1323NZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB351.625
(不含税)
RMB397.375
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 225 | RMB2.813 |
| 250 - 2475 | RMB2.758 |
| 2500 - 4975 | RMB2.704 |
| 5000 + | RMB2.651 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8745P
- 制造商零件编号:
- FDZ1323NZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 10 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 20 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | WLCSP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 高度 | 0.15mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.3mm | |
| 尺寸 | 2.3 x 1.3 x 0.15mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 17 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1545 pF @ 10 V | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型关断延迟时间 | 34 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 10 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 20 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 WLCSP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 2 W | ||
高度 0.15mm | ||
系列 PowerTrench | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.3mm | ||
尺寸 2.3 x 1.3 x 0.15mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 1545 pF @ 10 V | ||
宽度 1.3mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型关断延迟时间 34 ns | ||