FCH190N65F_F155 , N沟道 MOSFET 晶体管, 20.6 A, Vds=650 V, 3针 TO-247 G03封装
- RS 库存编号:
- 865-1293
- 制造商零件编号:
- FCH190N65F_F155
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB35.00 | RMB70.00 |
| 10 - 98 | RMB28.20 | RMB56.40 |
| 100 - 298 | RMB23.46 | RMB46.92 |
| 300 - 598 | RMB23.00 | RMB46.00 |
| 600 + | RMB20.70 | RMB41.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 865-1293
- 制造商零件编号:
- FCH190N65F_F155
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 208 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2425 pF @ 100 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 典型关断延迟时间 | 62 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 20.82mm | |
| 系列 | SuperFET II | |
| 典型接通延迟时间 | 25 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
最大漏源电阻值 190 mΩ | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 208 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2425 pF @ 100 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.82mm | ||
典型关断延迟时间 62 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 20.82mm | ||
系列 SuperFET II | ||
典型接通延迟时间 25 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm | ||
长度 15.87mm | ||
- COO (Country of Origin):
- KR