IRF8707GTRPBF , N沟道 MOSFET 模块, 11 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 865-5774
- 制造商零件编号:
- IRF8707GTRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 卷，共 25 件）*
RMB59.00
(不含税)
RMB66.75
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | RMB2.36 | RMB59.00 |
| 250 - 475 | RMB1.848 | RMB46.20 |
| 500 - 2475 | RMB1.812 | RMB45.30 |
| 2500 - 3975 | RMB1.712 | RMB42.80 |
| 4000 + | RMB1.696 | RMB42.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 865-5774
- 制造商零件编号:
- IRF8707GTRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 17.5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 典型关断延迟时间 | 7.3 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 760 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 6.7 ns | |
| 宽度 | 4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 17.5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
典型关断延迟时间 7.3 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.5mm | ||
典型输入电容值@Vds 760 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 6.7 ns | ||
宽度 4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN