IRFI4228PBF , N沟道 MOSFET 模块, 34 A, Vds=150 V, 3针 TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 865-5813
- 制造商零件编号:
- IRFI4228PBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 管，共 5 件）*
RMB75.34
(不含税)
RMB85.135
(含税)
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | RMB15.068 | RMB75.34 |
| 100 - 245 | RMB12.07 | RMB60.35 |
| 250 - 495 | RMB10.97 | RMB54.85 |
| 500 - 1195 | RMB9.278 | RMB46.39 |
| 1200 + | RMB8.38 | RMB41.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 865-5813
- 制造商零件编号:
- IRFI4228PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 34 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 16 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220ABFP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 46 W | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 高度 | 19.62mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 73 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 4560 pF @ 25 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 长度 | 10.63mm | |
| 尺寸 | 10.63 x 4.83 x 19.62mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 34 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 16 mΩ | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220ABFP | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 46 W | ||
宽度 4.83mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
系列 HEXFET | ||
高度 19.62mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 73 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 4560 pF @ 25 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
长度 10.63mm | ||
尺寸 10.63 x 4.83 x 19.62mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN