IRFB52N15DPBF , N沟道 MOSFET 模块, 60 A, Vds=150 V, 3针 TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 865-5816P
- 制造商零件编号:
- IRFB52N15DPBF
- 制造商:
- International Rectifier
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小计 100 件 (按管提供)*
RMB1,400.00
(不含税)
RMB1,582.00
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 245 | RMB14.00 |
| 250 - 495 | RMB13.156 |
| 500 - 995 | RMB11.154 |
| 1000 + | RMB10.076 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 865-5816P
- 制造商零件编号:
- IRFB52N15DPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 60 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 32 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 320 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2770 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 28 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 19.3mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 尺寸 | 10.54 x 4.69 x 19.3mm | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 宽度 | 4.69mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 60 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 32 mΩ | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 320 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2770 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 28 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 19.3mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.54mm | ||
尺寸 10.54 x 4.69 x 19.3mm | ||
典型接通延迟时间 16 ns | ||
宽度 4.69mm | ||