IRFSL3306PBF , N沟道 MOSFET 模块, 160 A, Vds=60 V, 3 + Tab针 TO-262封装
- RS 库存编号:
- 865-5831
- 制造商零件编号:
- IRFSL3306PBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 管，共 5 件）*
RMB80.16
(不含税)
RMB90.58
(含税)
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | RMB16.032 | RMB80.16 |
| 100 - 245 | RMB12.816 | RMB64.08 |
| 250 - 495 | RMB11.664 | RMB58.32 |
| 500 - 995 | RMB9.888 | RMB49.44 |
| 1000 + | RMB8.904 | RMB44.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 865-5831
- 制造商零件编号:
- IRFSL3306PBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 160 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4.2 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 230 W | |
| 典型关断延迟时间 | 40 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 4520 pF @ 50 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 85 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 15.01mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.67 x 15.01 x 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | HEXFET | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 160 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 4.2 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 230 W | ||
典型关断延迟时间 40 ns | ||
典型输入电容值@Vds 4520 pF @ 50 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
宽度 15.01mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.67 x 15.01 x 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 HEXFET | ||
高度 4.83mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN