IRFU3709ZPBF , N沟道 MOSFET 模块, 86 A, Vds=30 V, 3针 IPAK封装
- RS 库存编号:
- 865-5850
- 制造商零件编号:
- IRFU3709ZPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 管，共 10 件）*
RMB70.75
(不含税)
RMB79.95
(含税)
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB7.075 | RMB70.75 |
| 100 - 240 | RMB5.668 | RMB56.68 |
| 250 - 490 | RMB5.148 | RMB51.48 |
| 500 - 1640 | RMB4.364 | RMB43.64 |
| 1650 + | RMB3.935 | RMB39.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 865-5850
- 制造商零件编号:
- IRFU3709ZPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 86 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 8.2 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.25V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 79 W | |
| 尺寸 | 6.73 x 9.78 x 2.39mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | HEXFET | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 典型关断延迟时间 | 15 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 2330 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 17 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.78mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 86 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 8.2 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.25V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 IPAK (TO-251) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 79 W | ||
尺寸 6.73 x 9.78 x 2.39mm | ||
长度 6.73mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 HEXFET | ||
高度 2.39mm | ||
典型关断延迟时间 15 ns | ||
典型输入电容值@Vds 2330 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 17 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.78mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MX