NDDP010N25AZ-1H , N沟道 MOSFET 晶体管, 10 A, Vds=250 V, 3针 IPAK封装
- RS 库存编号:
- 867-3053
- 制造商零件编号:
- NDDP010N25AZ-1H
- 制造商:
- ON Semiconductor
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RMB52.90
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB5.29 | RMB52.90 |
| 20 - 90 | RMB4.668 | RMB46.68 |
| 100 - 190 | RMB3.888 | RMB38.88 |
| 200 - 390 | RMB3.336 | RMB33.36 |
| 400 + | RMB3.192 | RMB31.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 867-3053
- 制造商零件编号:
- NDDP010N25AZ-1H
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 10 A | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 最大漏源电阻值 | 420 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | IPAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 52 W | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 典型关断延迟时间 | 44 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.5 x 2.3 x 7mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 7mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 正向跨导 | 6.5S | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 980 pF @ 20 V | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 10 A | ||
最大漏源电压 250 V | ||
最大漏源电阻值 420 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 IPAK | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 52 W | ||
宽度 2.3mm | ||
典型关断延迟时间 44 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.5 x 2.3 x 7mm | ||
长度 6.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 7mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
正向跨导 6.5S | ||
典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 980 pF @ 20 V | ||
典型接通延迟时间 18 ns | ||