NTMFS4C10NT1G , N沟道 MOSFET 晶体管, 46 A, Vds=30 V, 8针 SO-8FL封装
- RS 库存编号:
- 867-3268
- 制造商零件编号:
- NTMFS4C10NT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 25 件）*
RMB53.775
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RMB60.775
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB2.151 | RMB53.78 |
| 50 - 175 | RMB1.722 | RMB43.05 |
| 200 - 475 | RMB1.436 | RMB35.90 |
| 500 - 975 | RMB1.339 | RMB33.48 |
| 1000 + | RMB1.313 | RMB32.83 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 867-3268
- 制造商零件编号:
- NTMFS4C10NT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 46 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 10.8 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SO-8FL | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 23.6 W | |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18.6 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 987 pF @ 15 V | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 正向跨导 | 43S | |
| 典型关断延迟时间 | 18 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 6.1 x 5.1 x 1.05mm | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 46 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 10.8 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SO-8FL | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 23.6 W | ||
典型接通延迟时间 9 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.05mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 18.6 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 987 pF @ 15 V | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
正向跨导 43S | ||
典型关断延迟时间 18 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 6.1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 6.1 x 5.1 x 1.05mm | ||
宽度 5.1mm | ||