NVE4153NT1G , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.915 A, Vds=20 V, 3针 SC-89封装
- RS 库存编号:
- 867-3280
- 制造商零件编号:
- NVE4153NT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 50 件）*
RMB47.90
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.958 | RMB47.90 |
| 100 - 200 | RMB0.94 | RMB47.00 |
| 250 - 950 | RMB0.922 | RMB46.10 |
| 1000 - 1950 | RMB0.904 | RMB45.20 |
| 2000 + | RMB0.886 | RMB44.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 867-3280
- 制造商零件编号:
- NVE4153NT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 915 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 950 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最大栅源电压 | -6 V、+6 V | |
| 封装类型 | SC-89 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 尺寸 | 1.7 x 0.95 x 0.8mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 3.7 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.82 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 110 pF @ 16 V | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 正向跨导 | 1.4S | |
| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 宽度 | 0.95mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 915 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 950 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.1V | ||
最大栅源电压 -6 V、+6 V | ||
封装类型 SC-89 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
高度 0.8mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 1.7mm | ||
尺寸 1.7 x 0.95 x 0.8mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 3.7 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.82 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 110 pF @ 16 V | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
正向跨导 1.4S | ||
典型关断延迟时间 25 ns | ||
宽度 0.95mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||