MDC0531EURH, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=30 V, 8针 TSSOP封装

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RS 库存编号:
871-4892P
制造商零件编号:
MDC0531EURH
制造商:
MagnaChip
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品牌

MagnaChip

通道类型

N

最大连续漏极电流

8 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

23 mΩ

最大栅阈值电压

1.5V

最大栅源电压

-12 V、+12 V

封装类型

TSSOP

安装类型

表面贴装

引脚数目

8

晶体管配置

共漏极

通道模式

增强

最大功率耗散

1.7 W

高度

1.05mm

最低工作温度

-55 °C

典型接通延迟时间

3.5 ns

晶体管材料

Si

尺寸

3.1 x 4.5 x 1.05mm

长度

3.1mm

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

2

宽度

4.5mm

典型关断延迟时间

27 ns

正向跨导

33S

正向二极管电压

1V

典型输入电容值@Vds

870 pF @ 15 V

典型栅极电荷@Vgs

10.7 nC @ 4.5 V

COO (Country of Origin):
CN