MDP1921TH , N沟道 MOSFET 晶体管, 153 A, Vds=100 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 871-4965P
- 制造商零件编号:
- MDP1921TH
- 制造商:
- MagnaChip
可享批量折扣
小计 50 件 (按管提供)*
RMB287.50
(不含税)
RMB325.00
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB5.75 |
| 100 - 290 | RMB5.63 |
| 300 - 490 | RMB5.52 |
| 500 + | RMB5.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 871-4965P
- 制造商零件编号:
- MDP1921TH
- 制造商:
- MagnaChip
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | MagnaChip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 153 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4.5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 223 W | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 16.51mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 典型关断延迟时间 | 93 ns | |
| 正向跨导 | 120S | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 典型输入电容值@Vds | 6750 pF @ 40 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 30.4 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.67 x 4.83 x 16.51mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 MagnaChip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 153 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 4.5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 223 W | ||
长度 10.67mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 16.51mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.83mm | ||
典型关断延迟时间 93 ns | ||
正向跨导 120S | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
典型输入电容值@Vds 6750 pF @ 40 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 30.4 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm | ||
- COO (Country of Origin):
- KR