MDU1512RH , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=30 V, 8针 PowerDFN56封装
- RS 库存编号:
- 871-5000
- 制造商零件编号:
- MDU1512RH
- 制造商:
- MagnaChip
可享批量折扣
小计（1 卷，共 25 件）*
RMB64.80
(不含税)
RMB73.225
(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB2.592 | RMB64.80 |
| 125 - 225 | RMB2.088 | RMB52.20 |
| 250 - 475 | RMB1.80 | RMB45.00 |
| 500 - 2975 | RMB1.76 | RMB44.00 |
| 3000 + | RMB1.725 | RMB43.13 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 871-5000
- 制造商零件编号:
- MDU1512RH
- 制造商:
- MagnaChip
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | MagnaChip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.7V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerDFN56 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 69.4 W | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2153 pF @ 15 V | |
| 正向跨导 | 42S | |
| 典型关断延迟时间 | 39.4 ns | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.1 x 5.1 x 1.1mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35.3 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 12.2 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 MagnaChip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 100 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.7V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerDFN56 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 69.4 W | ||
长度 6.1mm | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
宽度 5.1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 2153 pF @ 15 V | ||
正向跨导 42S | ||
典型关断延迟时间 39.4 ns | ||
高度 1.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.1 x 5.1 x 1.1mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 35.3 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 12.2 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- CN