MDV1524URH , N沟道 MOSFET 晶体管, 42.4 A, Vds=30 V, 8针 PowerDFN33封装
- RS 库存编号:
- 871-5028
- 制造商零件编号:
- MDV1524URH
- 制造商:
- MagnaChip
可享批量折扣
小计（1 卷，共 25 件）*
RMB46.80
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RMB52.875
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB1.872 | RMB46.80 |
| 125 - 225 | RMB1.548 | RMB38.70 |
| 250 - 475 | RMB1.296 | RMB32.40 |
| 500 - 4975 | RMB1.29 | RMB32.25 |
| 5000 + | RMB1.265 | RMB31.63 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 871-5028
- 制造商零件编号:
- MDV1524URH
- 制造商:
- MagnaChip
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | MagnaChip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 42 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 11.7 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.7V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerDFN33 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 25.2 W | |
| 典型接通延迟时间 | 7.5 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3.2 x 3.2 x 0.8mm | |
| 典型关断延迟时间 | 25.1 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.2mm | |
| 正向跨导 | 19S | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1019 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15.9 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 3.2mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 MagnaChip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 42 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 11.7 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.7V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerDFN33 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 25.2 W | ||
典型接通延迟时间 7.5 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3.2 x 3.2 x 0.8mm | ||
典型关断延迟时间 25.1 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.2mm | ||
正向跨导 19S | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
典型输入电容值@Vds 1019 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 15.9 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 3.2mm | ||
高度 0.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- KR