MMF60R580PTH , N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=600 V, 3针 TO-220F封装
- RS 库存编号:
- 871-5047
- 制造商零件编号:
- MMF60R580PTH
- 制造商:
- MagnaChip
可享批量折扣
小计（1 管，共 10 件）*
RMB52.70
(不含税)
RMB59.60
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.27 | RMB52.70 |
| 50 - 90 | RMB5.16 | RMB51.60 |
| 100 - 290 | RMB5.06 | RMB50.60 |
| 300 - 490 | RMB4.96 | RMB49.60 |
| 500 + | RMB4.87 | RMB48.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 871-5047
- 制造商零件编号:
- MMF60R580PTH
- 制造商:
- MagnaChip
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | MagnaChip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 580 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220F | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 26 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 575 pF @ 25 V | |
| 正向二极管电压 | 1.4V | |
| 典型关断延迟时间 | 48 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 16.13mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 10.71 x 4.93 x 16.13mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 4.93mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 10.71mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 MagnaChip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 580 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220F | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 26 W | ||
典型输入电容值@Vds 575 pF @ 25 V | ||
正向二极管电压 1.4V | ||
典型关断延迟时间 48 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 16.13mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 10.71 x 4.93 x 16.13mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V | ||
宽度 4.93mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 14 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 10.71mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN