MML60R190PTH , N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=600 V, 3针 TO-262封装
- RS 库存编号:
- 871-5053
- 制造商零件编号:
- MML60R190PTH
- 制造商:
- MagnaChip
可享批量折扣
小计（1 管，共 5 件）*
RMB60.31
(不含税)
RMB68.15
(含税)
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB12.062 | RMB60.31 |
| 10 - 20 | RMB10.982 | RMB54.91 |
| 25 - 70 | RMB10.766 | RMB53.83 |
| 75 - 195 | RMB10.554 | RMB52.77 |
| 200 + | RMB10.346 | RMB51.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 871-5053
- 制造商零件编号:
- MML60R190PTH
- 制造商:
- MagnaChip
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | MagnaChip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 154 W | |
| 典型关断延迟时间 | 146 ns | |
| 宽度 | 4.63mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 32 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1630 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| 正向二极管电压 | 1.4V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 10.29 x 4.63 x 11.05mm | |
| 高度 | 11.05mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.29mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 MagnaChip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 190 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 154 W | ||
典型关断延迟时间 146 ns | ||
宽度 4.63mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 32 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1630 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V | ||
正向二极管电压 1.4V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 10.29 x 4.63 x 11.05mm | ||
高度 11.05mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.29mm | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- CN