MDD3N40RH , N沟道 MOSFET 晶体管, 2 A, Vds=400 V, 3针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 871-6646
- 制造商零件编号:
- MDD3N40RH
- 制造商:
- MagnaChip
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
RMB86.20
(不含税)
RMB97.40
(含税)
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB1.724 | RMB86.20 |
| 250 - 450 | RMB1.69 | RMB84.50 |
| 500 - 1200 | RMB1.656 | RMB82.80 |
| 1250 + | RMB1.624 | RMB81.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 871-6646
- 制造商零件编号:
- MDD3N40RH
- 制造商:
- MagnaChip
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | MagnaChip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2 A | |
| 最大漏源电压 | 400 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.4 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 30 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 167 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.1 nC @ 10 V | |
| 正向跨导 | 2S | |
| 典型关断延迟时间 | 12 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 正向二极管电压 | 1.4V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 MagnaChip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2 A | ||
最大漏源电压 400 V | ||
最大漏源电阻值 3.4 Ω | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 30 W | ||
典型输入电容值@Vds 167 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.1 nC @ 10 V | ||
正向跨导 2S | ||
典型关断延迟时间 12 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.22mm | ||
正向二极管电压 1.4V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 6.73mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
高度 2.39mm | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN