SUD25N15-52-E3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 25 A, Vds=150 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 872-3265
- 制造商零件编号:
- SUD25N15-52-E3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 2000 件）*
RMB21,826.00
(不含税)
RMB24,664.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年6月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | RMB10.913 | RMB21,826.00 |
| 4000 - 4000 | RMB10.406 | RMB20,812.00 |
| 6000 + | RMB10.186 | RMB20,372.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 872-3265
- 制造商零件编号:
- SUD25N15-52-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 25 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 145 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 136 W | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1725 pF @ 25 V | |
| 正向跨导 | 40S | |
| 正向二极管电压 | 1.5V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 25 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 145 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 136 W | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 25 ns | ||
高度 2.38mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 33 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1725 pF @ 25 V | ||
正向跨导 40S | ||
正向二极管电压 1.5V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN